-
ການສິ້ນສຸດແບບແປນ
ຕົວເຊື່ອມຕໍ່ແບບແປນຖືກຕິດຕັ້ງຢູ່ປາຍວົງຈອນ, ເຊິ່ງດູດຊຶມສັນຍານທີ່ສົ່ງໃນວົງຈອນ ແລະ ປ້ອງກັນການສະທ້ອນສັນຍານ, ດັ່ງນັ້ນຈຶ່ງສົ່ງຜົນກະທົບຕໍ່ຄຸນນະພາບການສົ່ງສັນຍານຂອງລະບົບວົງຈອນ. ຕົວເຊື່ອມຕໍ່ແບບແປນຖືກປະກອບໂດຍການເຊື່ອມຕົວຕ້ານທານຕົວເຊື່ອມຕໍ່ແບບສາຍດຽວກັບແປນ ແລະ ແຜ່ນຮອງ. ຂະໜາດຂອງແປນມັກຈະຖືກອອກແບບໂດຍອີງໃສ່ການປະສົມປະສານຂອງຮູຕິດຕັ້ງ ແລະ ຂະໜາດຄວາມຕ້ານທານຂອງຕົວເຊື່ອມຕໍ່. ການປັບແຕ່ງຍັງສາມາດເຮັດໄດ້ຕາມຄວາມຕ້ອງການການນຳໃຊ້ຂອງລູກຄ້າ.
-
RFTXXN-100AJ8957-3 ຕົວຫຼຸດຜ່ອນສັນຍານ RF ແບບມີຕົວນຳ DC~3.0GHz
ຮຸ່ນ RFTXXN-100AJ8957-3 (XX=ຄ່າການຫຼຸດຄວາມດັນ) ຄວາມຕ້ານທານ 50 Ω ຊ່ວງຄວາມຖີ່ DC~3.0GHz VSWR 1.20 ສູງສຸດ ພະລັງງານທີ່ກຳນົດໄວ້ 100 W ຄ່າການຫຼຸດຄວາມດັນ 13,20,30dB ຄວາມທົນທານຂອງການຫຼຸດຄວາມດັນ ±1.0dB ສຳປະສິດອຸນຫະພູມ <150ppm/℃ ວັດສະດຸພື້ນຜິວ AlN Porcelain ວັດສະດຸໝວກ ຂະໜາດກາງ ຕະກົ່ວ ເງິນ 99.99% ເທັກໂນໂລຢີຄວາມຕ້ານທານ ຟິມໜາ ອຸນຫະພູມປະຕິບັດການ -55 ຫາ +150°C (ເບິ່ງການຫຼຸດຄວາມດັນພະລັງງານ) ຮູບແຕ້ມໂຄງຮ່າງ (ໜ່ວຍ: ມມ/ນິ້ວ) ຄວາມຍາວຂອງຕະກົ່ວສາມາດປັບແຕ່ງໄດ້ຕາມ... -
ຕົວຫຼຸດຜ່ອນສຽງແບບໄມໂຄຣສະຕຣິບ
ເຄື່ອງຫຼຸດຜ່ອນສັນຍານແບບ Microstrip ແມ່ນອຸປະກອນທີ່ມີບົດບາດໃນການຫຼຸດຜົນກະທົບສັນຍານພາຍໃນແຖບຄວາມຖີ່ຂອງໄມໂຄເວຟ. ການເຮັດໃຫ້ມັນກາຍເປັນເຄື່ອງຫຼຸດຜ່ອນສັນຍານແບບຄົງທີ່ແມ່ນຖືກນຳໃຊ້ຢ່າງກວ້າງຂວາງໃນຂົງເຂດຕ່າງໆເຊັ່ນ: ການສື່ສານໄມໂຄເວຟ, ລະບົບ radar, ການສື່ສານດາວທຽມ, ແລະອື່ນໆ, ເຊິ່ງໃຫ້ໜ້າທີ່ການຫຼຸດຜົນກະທົບສັນຍານທີ່ສາມາດຄວບຄຸມໄດ້ສຳລັບວົງຈອນ. ຊິບເຄື່ອງຫຼຸດຜ່ອນສັນຍານແບບ Microstrip, ບໍ່ຄືກັບຊິບການຫຼຸດຜົນກະທົບແບບ patch ທີ່ໃຊ້ທົ່ວໄປ, ຈຳເປັນຕ້ອງໄດ້ປະກອບເຂົ້າກັບຝາປິດອາກາດຂະໜາດສະເພາະໂດຍໃຊ້ການເຊື່ອມຕໍ່ coaxial ເພື່ອໃຫ້ບັນລຸການຫຼຸດຜົນກະທົບສັນຍານຈາກອິນພຸດໄປຫາອິນພຸດ.
ການອອກແບບຕາມຄວາມຕ້ອງການແມ່ນມີໃຫ້ຕາມການຮ້ອງຂໍ.
-
RFT20N-60AM6363-6 ຕົວຫຼຸດຜ່ອນຄວາມຖີ່ດ້ວຍຕົວນຳ DC~6.0GHz ຕົວຫຼຸດຜ່ອນຄວາມຖີ່ RF
ຮຸ່ນ RFT20N-60AM6363-6 (XX=ຄ່າການຫຼຸດຄວາມດັນ) ຄວາມຕ້ານທານ 50 Ω ຊ່ວງຄວາມຖີ່ DC~6.0GHz VSWR 1.25 ສູງສຸດ ພະລັງງານທີ່ໄດ້ຮັບການຈັດອັນດັບ 60 W ຄ່າການຫຼຸດຄວາມດັນ 20dB ຄວາມທົນທານຂອງການຫຼຸດຄວາມດັນ ±0.8 dB ສຳປະສິດອຸນຫະພູມ <150ppm/℃ ວັດສະດຸພື້ນຜິວ AlN Porcelain ວັດສະດຸໝວກ Al2O3 ຕະກົ່ວ ເງິນ Sterling 99.99% ຄວາມຕ້ານທານ ເທັກໂນໂລຢີຟິມໜາ ອຸນຫະພູມປະຕິບັດການ -55 ຫາ +150°C (ເບິ່ງການຫຼຸດຄວາມດັນພະລັງງານ) ຮູບແຕ້ມໂຄງຮ່າງ (ໜ່ວຍ: ມມ/ນິ້ວ) ຄວາມຍາວຂອງຕະກົ່ວສາມາດປັບແຕ່ງໄດ້ຕາມລູກຄ້າ... -
RFTXX-60AM6363B-3 ຕົວຫຼຸດຜ່ອນຄວາມຖີ່ດ້ວຍຕົວນຳ DC~3.0GHz ຕົວຫຼຸດຜ່ອນຄວາມຖີ່ RF
ຮຸ່ນ RFTXX-60AM6363B-3 (XX=ຄ່າການຫຼຸດຄວາມດັນ) ຄວາມຕ້ານທານ 50 Ω ຊ່ວງຄວາມຖີ່ DC~3.0GHz VSWR 1.25 ສູງສຸດ ພະລັງງານທີ່ໄດ້ຮັບການຈັດອັນດັບ 60 W ຄ່າການຫຼຸດຄວາມດັນ 01-10dB/16dB/20dB ຄວາມທົນທານຂອງການຫຼຸດຄວາມດັນ ±0.6dB/±0.8dB/±1.0dB ສຳປະສິດອຸນຫະພູມ <150ppm/℃ ວັດສະດຸພື້ນຜິວ BeO Porcelain ວັດສະດຸໝວກ Al2O3 ຕະກົ່ວ ເງິນ Sterling 99.99% ຄວາມຕ້ານທານ ເທັກໂນໂລຢີຟິມໜາ ອຸນຫະພູມປະຕິບັດການ -55 ຫາ +150°C (ເບິ່ງການຫຼຸດຄວາມດັນພະລັງງານ) ຮູບແຕ້ມໂຄງຮ່າງ (ໜ່ວຍ: ມມ/ນິ້ວ) ຄວາມຍາວຂອງຕະກົ່ວສາມາດປັບໄດ້... -
RFTXXA-05AM0404-3 ຕົວຫຼຸດຜ່ອນສັນຍານ RF ແບບມີຕົວນຳ DC~3.0GHz
ຮຸ່ນ RFTXXA-05AM0404-3 (XX=ຄ່າການຫຼຸດຄວາມດັນ) ຄວາມຕ້ານທານ 50 Ω ຊ່ວງຄວາມຖີ່ DC~3.0GHz VSWR 1.20 ສູງສຸດ ພະລັງງານທີ່ໄດ້ຮັບການຈັດອັນດັບ 5 W ຄ່າການຫຼຸດຄວາມດັນ (dB) 01-10/15, 17, 20/25,30 ຄວາມທົນທານຂອງການຫຼຸດຄວາມດັນ (dB) ±0.6/±0.8/±1.0 ສຳປະສິດອຸນຫະພູມ <150ppm/℃ ວັດສະດຸພື້ນຜິວ Al2O3 Porcelain ວັດສະດຸໝວກ Al2O3 ຕະກົ່ວ ເງິນ Sterling 99.99% ຄວາມຕ້ານທານ ເທັກໂນໂລຢີຟິມໜາ ອຸນຫະພູມປະຕິບັດການ -55 ຫາ +150°C (ເບິ່ງ de ພະລັງງານຫຼຸດຄວາມດັນ) ຮູບແຕ້ມໂຄງຮ່າງ (ໜ່ວຍ: ມມ/ນິ້ວ) ຄວາມຍາວຂອງຕະກົ່ວ ... -
ເຄື່ອງໝູນວຽນແບບໄມໂຄຣສະຕຣິບ
ເຄື່ອງໝູນວຽນແບບ Microstrip ເປັນອຸປະກອນໄມໂຄເວຟ RF ທີ່ນິຍົມໃຊ້ສຳລັບການສົ່ງສັນຍານ ແລະ ການແຍກສັນຍານໃນວົງຈອນ. ມັນໃຊ້ເທັກໂນໂລຢີຟິມບາງເພື່ອສ້າງວົງຈອນຢູ່ເທິງເຟີໄຣທ໌ແມ່ເຫຼັກທີ່ໝູນວຽນ, ແລະຫຼັງຈາກນັ້ນເພີ່ມສະໜາມແມ່ເຫຼັກເພື່ອບັນລຸມັນ. ການຕິດຕັ້ງອຸປະກອນວົງແຫວນແບບ microstrip ໂດຍທົ່ວໄປແລ້ວແມ່ນໃຊ້ວິທີການເຊື່ອມດ້ວຍມື ຫຼື ການເຊື່ອມສາຍຄຳກັບແຖບທອງແດງ. ໂຄງສ້າງຂອງເຄື່ອງໝູນວຽນແບບ microstrip ແມ່ນງ່າຍດາຍຫຼາຍ, ເມື່ອທຽບກັບເຄື່ອງໝູນວຽນແບບ coaxial ແລະ embedded. ຄວາມແຕກຕ່າງທີ່ເຫັນໄດ້ຊັດເຈນທີ່ສຸດແມ່ນບໍ່ມີຊ່ອງ, ແລະ ຕົວນຳຂອງເຄື່ອງໝູນວຽນແບບ microstrip ແມ່ນເຮັດໂດຍການໃຊ້ຂະບວນການຟິມບາງ (vacuum sputtering) ເພື່ອສ້າງຮູບແບບທີ່ອອກແບບຢູ່ເທິງເຟີໄຣທ໌ໝູນວຽນ. ຫຼັງຈາກການຊຸບດ້ວຍໄຟຟ້າ, ຕົວນຳທີ່ຜະລິດອອກມາຈະຖືກຕິດກັບຊັ້ນຮອງເຟີໄຣທ໌ໝູນວຽນ. ຕິດຊັ້ນຂອງຕົວກາງສນວນຢູ່ເທິງກຣາຟ, ແລະ ແກ້ໄຂສະໜາມແມ່ເຫຼັກໃສ່ຕົວກາງ. ດ້ວຍໂຄງສ້າງທີ່ງ່າຍດາຍດັ່ງກ່າວ, ເຄື່ອງໝູນວຽນແບບ microstrip ໄດ້ຖືກຜະລິດຂຶ້ນ.
ຊ່ວງຄວາມຖີ່ 2.7 ຫາ 40GHz.
ການນຳໃຊ້ທາງທະຫານ, ອາວະກາດ ແລະ ການຄ້າ.
ການສູນເສຍການແຊກຕໍ່າ, ການແຍກສູງ, ການຈັດການພະລັງງານສູງ.
ການອອກແບບຕາມຄວາມຕ້ອງການແມ່ນມີໃຫ້ຕາມການຮ້ອງຂໍ.
-
ເຄື່ອງໝຸນວຽນບຣອດແບນ
ເຄື່ອງໝູນວຽນຄວາມຖີ່ກວ້າງແມ່ນອົງປະກອບທີ່ສຳຄັນໃນລະບົບການສື່ສານ RF, ເຊິ່ງໃຫ້ຂໍ້ໄດ້ປຽບຫຼາຍຢ່າງທີ່ເຮັດໃຫ້ມັນເໝາະສົມຫຼາຍສຳລັບການນຳໃຊ້ທີ່ຫຼາກຫຼາຍ. ເຄື່ອງໝູນວຽນເຫຼົ່ານີ້ໃຫ້ການຄຸ້ມຄອງຄວາມຖີ່ກວ້າງ, ຮັບປະກັນປະສິດທິພາບທີ່ມີປະສິດທິພາບໃນຊ່ວງຄວາມຖີ່ກ້ວາງ. ດ້ວຍຄວາມສາມາດໃນການແຍກສັນຍານ, ພວກມັນສາມາດປ້ອງກັນການແຊກແຊງຈາກສັນຍານນອກແຖບຄວາມຖີ່ ແລະ ຮັກສາຄວາມສົມບູນຂອງສັນຍານໃນແຖບຄວາມຖີ່. ໜຶ່ງໃນຂໍ້ໄດ້ປຽບຫຼັກຂອງເຄື່ອງໝູນວຽນຄວາມຖີ່ກວ້າງແມ່ນປະສິດທິພາບການແຍກສັນຍານທີ່ດີເລີດ. ໃນເວລາດຽວກັນ, ອຸປະກອນຮູບວົງແຫວນເຫຼົ່ານີ້ມີລັກສະນະຄື້ນຢືນທີ່ດີ, ຫຼຸດຜ່ອນສັນຍານສະທ້ອນ ແລະ ຮັກສາການສົ່ງສັນຍານທີ່ໝັ້ນຄົງ.
ຊ່ວງຄວາມຖີ່ 56MHz ຫາ 40GHz, BW ສູງເຖິງ 13.5GHz.
ການນຳໃຊ້ທາງທະຫານ, ອາວະກາດ ແລະ ການຄ້າ.
ການສູນເສຍການແຊກຕໍ່າ, ການແຍກສູງ, ການຈັດການພະລັງງານສູງ.
ການອອກແບບຕາມຄວາມຕ້ອງການແມ່ນມີໃຫ້ຕາມການຮ້ອງຂໍ.
-
RFTXX-60CA6363B-3 ຕົວຫຼຸດຜ່ອນຄວາມໄວຊິບ ຕົວຫຼຸດຜ່ອນຄວາມໄວ RF DC~3.0GHz
ຮຸ່ນ RFTXX-60CA6363B-3 (XX= ຄ່າການຫຼຸດຄວາມອ່ອນໄຫວ) ຊ່ວງຄວາມຕ້ານທານ 50 Ω ຊ່ວງຄວາມຖີ່ DC~3.0GHz VSWR 1.25 ພະລັງງານສູງສຸດ 60 W ຄ່າການຫຼຸດຄວາມອ່ອນໄຫວ (dB) 01-10dB/11-20dB/21-30dB ຄວາມທົນທານຂອງການຫຼຸດຄວາມອ່ອນໄຫວ (dB) ±0.6dB/±0.8dB/±1.0dB ສຳປະສິດອຸນຫະພູມ <150ppm/℃ ວັດສະດຸພື້ນຜິວ BeO ເທັກໂນໂລຢີຄວາມຕ້ານທານ ຟິມໜາ ອຸນຫະພູມປະຕິບັດການ -55 ຫາ +150°C (ເບິ່ງການຫຼຸດຄວາມດັນພະລັງງານ) ວິທີການຕິດຕັ້ງ ການຫຼຸດຄວາມດັນພະລັງງານ ເວລາການເຊື່ອມແບບຣີໂຟມ ແລະ ແຜນວາດອຸນຫະພູມ P/N ຕຳແໜ່ງ ... -
RFTXXN-20CA5025C-3 ຕົວຫຼຸດຜ່ອນສັນຍານຊິບ DC~3.0GHz RF Attenuator
ຮຸ່ນ RFTXXN-20CA5025C-3 (XX= ຄ່າການຫຼຸດຄວາມອ່ອນໄຫວ) ຊ່ວງຄວາມຕ້ານທານ 50 Ω ຊ່ວງຄວາມຖີ່ DC~3.0GHz VSWR 1.25 ພະລັງງານສູງສຸດ 20 W ຄ່າການຫຼຸດຄວາມອ່ອນໄຫວ (dB) 01-10dB/11-20dB/21-30dB ຄວາມທົນທານຂອງການຫຼຸດຄວາມອ່ອນໄຫວ (dB) ±0.6dB/±0.8dB/±1.0dB ສຳປະສິດອຸນຫະພູມ <150ppm/℃ ວັດສະດຸພື້ນຜິວ ເທັກໂນໂລຢີຄວາມຕ້ານທານ AlN ຟິມໜາ ອຸນຫະພູມປະຕິບັດການ -55 ຫາ +150°C (ເບິ່ງ de ພະລັງງານຫຼຸດຄວາມດັນ) ປະສິດທິພາບໂດຍປົກກະຕິ: ກຣາຟ 2dB ກຣາຟ 20dB ກຣາຟ 6dB ກຣາຟ 30dB ວິທີການຕິດຕັ້ງ... -
RFTXXN-10CA5025C-6 ຕົວຫຼຸດຜ່ອນສັນຍານຊິບ DC~6.0GHz RF Attenuator
ຮຸ່ນ RFTXXN-10CA5025C-6 (XX= ຄ່າການຫຼຸດຄວາມອ່ອນໄຫວ) ຊ່ວງຄວາມຕ້ານທານ 50 Ω ຊ່ວງຄວາມຖີ່ DC~6.0GHz VSWR 1.25 ພະລັງງານສູງສຸດ 10 W ຄ່າການຫຼຸດຄວາມອ່ອນໄຫວ (dB) 01-10dB/11-20dB ຄວາມທົນທານຂອງການຫຼຸດຄວາມອ່ອນໄຫວ (dB) ±0.6dB/±0.8dB ສຳປະສິດອຸນຫະພູມ <150ppm/℃ ວັດສະດຸພື້ນຜິວ ເທັກໂນໂລຢີຄວາມຕ້ານທານ AlN ຟິມໜາ ອຸນຫະພູມປະຕິບັດການ -55 ຫາ +150°C (ເບິ່ງ de ພະລັງງານຫຼຸດຄວາມດັນ) ປະສິດທິພາບໂດຍປົກກະຕິ: ກຣາຟ 6dB ກຣາຟ 20dB ວິທີການຕິດຕັ້ງ ພະລັງງານຫຼຸດຄວາມດັນ ເວລາການເຊື່ອມ reflow & ... -
RFTXX-250RM1313K ຕົວຕ້ານທານ RF ແບບມີສານຕະກົ່ວ
ຮຸ່ນ RFTXX-250RM1313K ພະລັງງານ 250 W ຄວາມຕ້ານທານ XX Ω~ (10-1000Ω ສາມາດປັບແຕ່ງໄດ້) ຄວາມຕ້ານທານ ຄວາມທົນທານ ±5% ຄວາມຈຸ 2.0 PF@100Ω ຄ່າສຳປະສິດອຸນຫະພູມ <150ppm/℃ ພື້ນຜິວ BeO ຝາປິດ AL2O3 ຕະກົ່ວ ທອງແດງ ຊຸບເງິນ ອົງປະກອບຕ້ານທານ ຟິມໜາ ອຸນຫະພູມປະຕິບັດການ -55 ຫາ +150°C (ເບິ່ງ de ພະລັງງານຫຼຸດລະດັບ) ຂັ້ນຕອນການຕິດຕັ້ງທີ່ແນະນຳ ພະລັງງານຫຼຸດລະດັບ ໂປຣໄຟລ໌ການໄຫຼຄືນໃໝ່ P/N ກຳນົດ ໃຫ້ໃຊ້ ເອົາໃຈໃສ່ ■ ຫຼັງຈາກໄລຍະເວລາເກັບຮັກສາສ່ວນປະກອບທີ່ຊື້ໃໝ່ເກີນ 6 ເດືອນ...
